Российские учёные создали пленки диоксида гафния для микроэлектроники
Аспирант Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН разработал сверхтонкие пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния.
Материал применяется в производстве современных микросхем для улучшения характеристик транзисторов. Исследование проведено в лаборатории института и представлено научному сообществу.
Источник: CNews
Новости этого рынка выходят у нас в телеграме первыми — @wikicompass.